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AOT1N60

AOT1N60
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產(chǎn)品型號 AOT1N60
制造商 Alpha and Omega Semiconductor,
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9Ohm @ 650mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)41.7W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

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