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NP20P06SLG-E1-AY

NP20P06SLG-E1-AY
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產(chǎn)品型號(hào) NP20P06SLG-E1-AY
制造商 Renesas Electronics Corporatio
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 60V 20A TO252
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1650 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.2W (Ta), 38W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252 (MP-3ZK)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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