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SIRA90DP-T1-RE3

SIRA90DP-T1-RE3
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產(chǎn)品型號 SIRA90DP-T1-RE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs153 nC @ 10 V Vgs (Max)+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10180 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)104W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? SO-8
Package / CasePowerPAK? SO-8

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