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RD3G03BATTL1

RD3G03BATTL1
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產(chǎn)品型號 RD3G03BATTL1
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.1mOhm @ 35A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2100 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)56W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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