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NVF6P02T3G

NVF6P02T3G
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產品型號 NVF6P02T3G
制造商 onsemi
產品介紹 MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 6A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 16 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)8.3W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223 (TO-261)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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