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DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13
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產(chǎn)品型號(hào) DMT10H010LK3-13
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C68.8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2592 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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