SI8429DB-T1-E1
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產(chǎn)品型號 | SI8429DB-T1-E1 |
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制造商 | Vishay / Siliconix |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
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Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.7A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 4 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
SI8429DB-T1-E1 相關(guān)的關(guān)鍵詞
SI8429DB-T1-E1是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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