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RJP020N06T100

RJP020N06T100
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產(chǎn)品型號(hào) RJP020N06T100
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageMPT3
Package / CaseTO-243AA

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