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IPD60R600P7SAUMA1

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產(chǎn)品型號 IPD60R600P7SAUMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 80μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds363 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)30W (Tc) Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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