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SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 SISH407DN-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.4A (Ta), 25A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93.8 nC @ 8 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2760 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 33W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? 1212-8SH
Package / CasePowerPAK? 1212-8SH

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