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IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1
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產(chǎn)品型號 IPD135N03LGATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)31W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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