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FQN1N50CTA

FQN1N50CTA
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產(chǎn)品型號(hào) FQN1N50CTA
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
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Product parameter

Product StatusLast Time Buy FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C380mA (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 190mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.4 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds195 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)890mW (Ta), 2.08W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-92-3
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

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