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RSR025P03HZGTL

RSR025P03HZGTL
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產(chǎn)品型號(hào) RSR025P03HZGTL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 2.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.4 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT3
Package / CaseSC-96

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