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SQ2362ES-T1_BE3

SQ2362ES-T1_BE3
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產(chǎn)品型號(hào) SQ2362ES-T1_BE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 2.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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