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RSR020N06HZGTL

RSR020N06HZGTL
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產(chǎn)品型號 RSR020N06HZGTL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT3
Package / CaseSC-96

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