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PXP012-30QLJ

PXP012-30QLJ
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產(chǎn)品型號 PXP012-30QLJ
制造商 Nexperia
產(chǎn)品介紹 P-CHANNEL TRENCH MOSFET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.9A (Ta), 38.8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43.4 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta), 32W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageMLPAK33
Package / Case8-PowerVDFN

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