RQ3E120GNTB
ROHM Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產品型號 | RQ3E120GNTB |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 產品介紹 | MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT 我們努力為客戶提供 ROHM Semiconductor品牌的產品RQ3E120GNTB 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網 www.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 12A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 16W (Tc) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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RQ3E120GNTB是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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