RQ6C050UNTR
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產(chǎn)品型號 | RQ6C050UNTR |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
RQ6C050UNTR 相關(guān)的關(guān)鍵詞
RQ6C050UNTR是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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