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RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR
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產(chǎn)品型號 RQ6C050UNTR
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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