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PJW4P06A_R2_00001

PJW4P06A_R2_00001
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產(chǎn)品型號 PJW4P06A_R2_00001
制造商 PANJIT
產(chǎn)品介紹 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds785 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.1W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-223
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA

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