RQ3E100BNTB
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| 產(chǎn)品型號(hào) | RQ3E100BNTB |
|---|---|
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT 我們努力為客戶提供 ROHM Semiconductor品牌的產(chǎn)品RQ3E100BNTB 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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