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SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3
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產品型號 SI2305CDS-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產品介紹 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 8 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 4 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)960mW (Ta), 1.7W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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