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RZF013P01TL

RZF013P01TL
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產(chǎn)品型號(hào) RZF013P01TL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 6 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)800mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTUMT3
Package / Case3-SMD, Flat Leads

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