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RJU002N06T106

RJU002N06T106
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產品型號 RJU002N06T106
制造商 ROHM Semiconductor
產品介紹 MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds18 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)200mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageUMT3
Package / CaseSC-70, SOT-323

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