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DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7
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產(chǎn)品型號 DMN2005LP4K-7
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41 pF @ 3 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta) Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageX2-DFN1006-3
Package / Case3-XFDFN

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