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NXV90EPR

NXV90EPR
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產(chǎn)品型號(hào) NXV90EPR
制造商 Nexperia
產(chǎn)品介紹 NXV90EP/SOT23/TO-236AB
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds252 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)340mW (Ta), 2.1W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-236AB
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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