SI3460DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | SI3460DDV-T1-BE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 產(chǎn)品介紹 | N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 我們努力為客戶提供 Vishay / Siliconix品牌的產(chǎn)品SI3460DDV-T1-BE3 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta), 7.9A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.1A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 8 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 666 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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