SSM3J353F,LF
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產(chǎn)品型號 | SSM3J353F,LF |
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制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | +20V, -25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 159 pF @ 15 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 600mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | S-Mini |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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