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SSM3J09FU,LF

SSM3J09FU,LF
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產(chǎn)品型號(hào) SSM3J09FU,LF
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 200MA USM
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22 pF @ 5 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageUSM
Package / CaseSC-70, SOT-323

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