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DMN10H700S-7

DMN10H700S-7
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產(chǎn)品型號 DMN10H700S-7
制造商 Diodes Incorporated
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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