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RHU002N06T106

RHU002N06T106
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產(chǎn)品型號 RHU002N06T106
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)200mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageUMT3
Package / CaseSC-70, SOT-323

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