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RE1C001UNTCL

RE1C001UNTCL
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產(chǎn)品型號 RE1C001UNTCL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7.1 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageEMT3F (SOT-416FL)
Package / CaseSC-89, SOT-490

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