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RSC002P03T316

RSC002P03T316
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產(chǎn)品型號 RSC002P03T316
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)200mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSST3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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