RSC002P03T316
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產(chǎn)品型號 | RSC002P03T316 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 250mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SST3 |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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