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NTHL020N090SC1

NTHL020N090SC1
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產(chǎn)品型號(hào) NTHL020N090SC1
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C118A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 60A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs196 nC @ 15 V Vgs (Max)+19V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4415 pF @ 450 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)503W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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