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SCT4018KEC11

SCT4018KEC11
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產(chǎn)品型號 SCT4018KEC11
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C81A (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.4mOhm @ 42A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 22.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs170 nC @ 18 V Vgs (Max)+21V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4532 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)312W Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247N
Package / CaseTO-247-3

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