IMW120R020M1HXKSA1
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| 產品型號 | IMW120R020M1HXKSA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
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- 產品參數
- pdf參數資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 98A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.9mOhm @ 41A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.2V @ 17.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3460 nF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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