IMW65R027M1HXKSA1
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| 產(chǎn)品型號 | IMW65R027M1HXKSA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 我們努力為客戶提供 Infineon Technologies品牌的產(chǎn)品IMW65R027M1HXKSA1 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 38.3A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2131 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 189W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | PG-TO247-3-41 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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