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G3R30MT12J

G3R30MT12J
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產(chǎn)品型號 G3R30MT12J
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 50A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.69V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 15 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3901 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)459W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263-7
Package / CaseTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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