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IPW60R041C6FKSA1

IPW60R041C6FKSA1
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產(chǎn)品型號 IPW60R041C6FKSA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C77.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 44.4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 2.96mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs290 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6530 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)481W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackagePG-TO247-3-1
Package / CaseTO-247-3

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