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IPB65R045C7ATMA2

IPB65R045C7ATMA2
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產(chǎn)品型號 IPB65R045C7ATMA2
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.25mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)227W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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