SCT2H12NZGC11
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產(chǎn)品型號 | SCT2H12NZGC11 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
產(chǎn)品介紹 | SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM 我們努力為客戶提供 ROHM Semiconductor品牌的產(chǎn)品SCT2H12NZGC11 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù),請登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V | Vgs (Max) | +22V, -6V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) | Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-3PFM |
Package / Case | TO-3PFM, SC-93-3 |
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SCT2H12NZGC11是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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