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IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1
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產品型號 IPB072N15N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.2mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs93 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5470 pF @ 75 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)300W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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