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FDP090N10

FDP090N10
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產(chǎn)品型號 FDP090N10
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8225 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)208W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

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