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IPT026N10N5ATMA1

IPT026N10N5ATMA1
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產品型號 IPT026N10N5ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 202A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 150A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 158μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8800 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)214W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-HSOF-8-1
Package / Case8-PowerSFN

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