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SIHP25N50E-BE3

SIHP25N50E-BE3
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產(chǎn)品型號 SIHP25N50E-BE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 N-CHANNEL 500V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs145mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86 nC @ 10 V Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1980 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)250W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

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