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IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2
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產(chǎn)品型號 IXTY1R6N100D2
制造商 Littelfuse
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 800mA, 0V Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds645 pF @ 25 V FET FeatureDepletion Mode
Power Dissipation (Max)100W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-252AA
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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