IXTY1R6N100D2
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產(chǎn)品型號 | IXTY1R6N100D2 |
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制造商 | Littelfuse |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V | Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V | FET Feature | Depletion Mode |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IXTY1R6N100D2 相關(guān)的關(guān)鍵詞
IXTY1R6N100D2是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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