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IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1
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產(chǎn)品型號 IPB015N04LGATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
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Product parameter

Product StatusNot For New Designs FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 200μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs346 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds28000 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)250W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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