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STB120NF10T4

STB120NF10T4
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產(chǎn)品型號 STB120NF10T4
制造商 STMicroelectronics
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs233 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)312W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageD2PAK
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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