IPB60R160C6ATMA1
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| 產(chǎn)品型號(hào) | IPB60R160C6ATMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK 我們努力為客戶提供 Infineon Technologies品牌的產(chǎn)品IPB60R160C6ATMA1 最有競(jìng)爭(zhēng)力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請(qǐng)登錄我們官網(wǎng) www.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 11.3A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 750μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 176W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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