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IPB80P04P4L04ATMA2

IPB80P04P4L04ATMA2
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產品型號 IPB80P04P4L04ATMA2
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs176 nC @ 10 V Vgs (Max)+5V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11570 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)125W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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