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R6020ENJTL

R6020ENJTL
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產(chǎn)品型號 R6020ENJTL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs196mOhm @ 9.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)40W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLPTS
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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