R6020ENJTL
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產(chǎn)品型號 | R6020ENJTL |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196mOhm @ 9.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | LPTS |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
R6020ENJTL 相關(guān)的關(guān)鍵詞
R6020ENJTL是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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